Значительно реже детекторы ошибки выявлялись в черной субстанции и красном ядре, еще реже в субталамусе, в промежуточной зоне зрительного бугра и ножках мозга.
Воспроизводимые изменения медленных неэлектрических процессов в части детекторов ошибки возникали в различные сроки от начала ретенции ошибочно репродуцированных тестов, что отражало особенности их «включения» в реализацию интеллектуально-мнестического акта. В первую очередь это структуры, нейронно-глиальные популяции которых преимущественно обнаруживали свойства детекторов ошибки с начала предъявления тестов (в порядке уменьшения вероятности обнаружения — хвостатое ядро, ретикулярное ядро, срединный центр, интраламинарные ядра и подушка зрительного бугра, редко — бледный шар, субталамус, структуры области ножек мозга). И, во-вторых, структуры, нейронноглиальные популяции которых проявляли свойство детектора ошибки с 60—90 с ретенции (в порядке уменьшения вероятности обнаружения — передняя группа, дорсомедиальное ядро и подушка зрительного бугра, гиппокамп, путамен, хвостатое ядро, вентролатеральное таламическое ядро). Воспроизводимые изменения функционального состояния в зоне детектора ошибки — I сочетались с кратковременными изменениями кожно-гальванического потенциала контралатеральной ладони и ошибочностью в самооценке больным качества деятельности.
Если возникновение детектора ошибки приходилось на более позднее время теста (детектор ошибки — II), то динамика медленных неэлектрических процессов в нем не сопровождалась изменениями КГР.
Зоны мозга, обнаруживавшие свойства детектора ошибки — I, тесно связаны с обеспечением эмоционально окрашенных состояний; «точки» мозга, обнаруживавшие свойства детекции ошибки — II, оказались наиболее тесно связанными с обеспечением долгосрочной памяти при интервалах между тестами до 6 ч; изменения функционального состояния этих же зон мозга во время естественного сна соотносились с появлением у больных быстрых движений глаз (В. Б. Гречин, 1974).
Среди детекторов ошибки особый интерес представляли зоны мозга, «включение» которых в ошибочно реализуемую деятельность соответствовало 30—120 с ретенции. Анализ показал (В. Б. Гречин, 1977), что аппарат детекции ошибки представляет собой реальный элемент «акцептора действия», один из механизмов оптимизации мозгового обеспечения психической деятельности. Диагностическая электрическая стимуляция детекторов ошибки увеличивала объем оперативной памяти больных в случаях, когда воздействие соотносили с первыми 45—60 с ретенции. Реже увеличение объема оперативной памяти возникало при электрической стимуляции детекторов ошибки во 2—3-ю минуту ретенции. Наибольшие изменения объема оперативной памяти наблюдались при воздействиях, приходившихся на период предъявления теста и первые 15—30 с его ретенции (В. Б. Гречин, 1975).